平成30年12月3日(月)、东京都にあるイイノホール&カンファレスセンターにおいて「平成30年度地球温暖化防止活动环境大臣表彰」の表彰式が行われました。
この度「平成30年度地球温暖化防止活動環境大臣表彰 技術開発?製品化部門」を受赏した、本学次世代パワーエレクトロニクス研究センターの大村一郎センター長が代表して表彰式に出席し、プレゼンターである原田義昭環境大臣から「表彰状」が授与されました。表彰式後の情報交換会、そして受赏者フォーラムで大村センター長が受赏に関する講演を行いました。
&别尘蝉辫;この表彰は、环境省が平成10年度から地球温暖化対策を推进するための一环として、毎年地球温暖化防止月间である12月に、地球温暖化防止に顕着な功绩のあった个人又は団体に対しその功绩をたたえるために、地球温暖化防止活动大臣表彰を授与しており、21年间継続して行われています。今回次世代パワーエレクトロニクス研究センターは、下记の功绩で「技术开発?製品化部门」での受赏となりました。
次世代パワーエレクトロニクス研究センターでは、電気自動車や風力発電、エアコンなどで広く用いられているパワー半導体デバイス(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)の設計に独特な「スケーリング則」があることを世界で初めて発見し、微細加工によりデバイスの電流密度を飛躍的に向上できることを示しました。このIGBT「スケーリング則」によれば、現在広く用いられているシリコンパワー半導体で継続的な低コスト化と量産性の向上が可能であり、省エネルギー機器等の導入が、先進国のみならず新興国や途上国でも広まることが期待されます。本成果による将来のCO?排出削減への期待から、今回の受赏となりました。本成果をベースに、シリコンパワー半導体に関する産学連携プロジェクトが開始されており、更なる展開が期待されます。
&别尘蝉辫;本センターでは、今后も低炭素社会の実现へ向けた取り组みを継続し、地球温暖化防止活动の一助となるべく研究开発を行っていきます。
表彰式の様子1
表彰式の様子2
表彰式の様子3
会场の様子4
